Главная -> Электронные компоненты

ICS874005AGLF

Нет фото
Цена за шт.:
Звоните




ICS874005AGLF
возможности
Пять пар дифференциальных выходных сигналов LVDS, один дифференциальный тактовый вход CLK и nCLK поддерживают следующие типы входных сигналов: LVPECL, LVDS, LVHSTL, SSTL, HCSL Диапазон выходных частот: - 160 МГц Диапазон входных частот: - 128 МГц Диапазон VCO: - 640 МГц Межцикловое дрожание: 30 с (максимум) рабочее напряжение 3,3 В 3 режима полосы пропускания позволяют разработчику системы находить компромиссы между ослаблением дрожания / отслеживанием перекоса при рабочей температуре окружающей среды 70 ° C, доступные как в стандартных, так и в бессвинцовых упаковках, соответствующих требованиям RoHS.

Это высокопроизводительный дифференциальный аттенюатор дрожания LVDS, разработанный для использования HiPerClockSTM в системах PCI Express. В некоторых системах PCI Express, например, в настольных ПК, тактовые частоты PCI Express генерируются с помощью синтезатора частоты PLL с низкой пропускной способностью и высоким уровнем фазового шума. В этих системах может потребоваться джиттер-аттенюатор для ослабления высокочастотных случайных и детерминированных составляющих джиттера от синтезатора PLL и системной платы. ICS874005 поддерживает 3 режима полосы пропускания PLL: 200 кГц, 400 кГц и 800 кГц. Режим 200 кГц обеспечивает максимальное ослабление джиттера, но при более высоком уровне ФАПЧ перекос отслеживания и модуляция с расширенным спектром от синтезатора материнской платы могут быть ослаблены. Частота 400 кГц обеспечивает промежуточную полосу пропускания, которая позволяет легко отслеживать треугольные профили распространения, обеспечивая при этом хорошее подавление джиттера. Полоса пропускания 800 кГц обеспечивает наилучший перекос отслеживания и пропускает большинство профилей распространения, но ослабление джиттера будет не таким хорошим, как в режимах с более низкой полосой пропускания. Поскольку некоторые устройства емкостью 2,5 Гб имеют множители x20, а другие - менее x25, 874005 может быть настроен на режим умножения 1: 1 или 5/4 (т.е. Вход 100 МГц / выход 125 МГц) с использованием контактов F_SEL.

BW_SEL 0 = Полоса пропускания PLL: ~ 200 кГц Float = Полоса пропускания PLL: ~ 400 кГц (по умолчанию) 1 = Полоса пропускания PLL: ~ 800 кГц

В ICS874005 используется технология ICS 3-го поколения FemtoClock TM PLL для достижения минимально возможного уровня фазовых шумов. Устройство поставляется в корпусе TSSOP с 24 выводами, что делает его идеальным для использования в приложениях с ограниченным пространством, таких как дополнительные карты PCI Express.

OEA Pulldown F_SELA Pulldown BW_SEL Float = ~ 200 кГц Float = ~800 кГц CLK Pulldown nCLK Pullup QA0
nQA1 QA1 VDDO nQA0 MR BW_SEL VDDA F_SELA VDD OEA QB2 VDDO QB0 nQB0 F_SELB OEB GND nCLK CLK
Тип выходной мощности Описание входного сигнала Дифференциальная выходная пара. Уровни интерфейса LVDS. Дифференциальная выходная пара. Уровни интерфейса LVDS. Выходные контакты питания. Дифференциальная выходная пара. Уровни интерфейса LVDS. Инвертирующий дифференциальный выход с обратной связью. Активный сброс HIGH Master. При высоком логическом уровне внутренние делители сбрасываются, в результате чего истинные выходы (nQx) становятся низкими, а обратные выходы (Qx) - высокими. При низком логическом уровне включаются внутренние разделители и выходы. Уровни интерфейса LVCMOS / LVTTL. Вход полосы пропускания Pullup / PLL. Смотрите Таблицу 3B. Вывод аналогового питания Pulldown. Вывод выбора частоты для выходов QAx / nQAx. Уровни интерфейса LVCMOS / LVTTL с выпадающим списком. Вывод питания ядра. Вывод включения вывода для выводов QA. При высоком уровне напряжения выходы QAx / nQAx активны. При НИЗКОМ уровне напряжения выходы QAx / nQAx находятся в режиме подтягивания с высоким импедансом. Уровни интерфейса LVCMOS / LVTTL. Выдвижной неинвертирующий дифференциальный тактовый вход. Выдвижной инвертирующий дифференциальный тактовый вход. Заземление источника питания. Вывод для включения контактов QB. При ВЫСОКОМ уровне напряжения выходы QBx / nQBx активны. При НИЗКОМ уровне напряжения выходы QBx / nQBx находятся в состоянии высокого импеданса. Уровни интерфейса LVCMOS / LVTTL. Вывод выбора частоты для выходов QBx / nQBx. Уровни интерфейса LVCMOS / LVTTL с выпадающим списком. Дифференциальная выходная пара. Уровни интерфейса LVDS. Дифференциальная выходная пара. Уровни интерфейса LVDS.

Входная мощность, Входная мощность, Входная мощность, Выход
ПРИМЕЧАНИЕ: Подтягивание и снятие относятся к внутренним входным резисторам. Типичные значения приведены в таблице 2 "Характеристики контактов".

Символ CIN RPULLUP Параметр RPULLDOWN Входная емкость Входной подтягивающий резистор Входной подтягивающий резистор Минимальные типичные 4 51 Максимальные единицы измерения pF k

Входы с поддержкой OEA / OEB 0 1 с поддержкой HiZ Выходы QAx / nQAx QBx / nQBx с поддержкой HiZ
От -0,5 В до VDD -0,5 В до VDDO от 70 ° C / Вт (0 нч / мин) до 150 °C ПРИМЕЧАНИЕ: Напряжения, превышающие указанные в абсолютных максимальных значениях, могут привести к необратимому повреждению устройства. Эти номинальные значения относятся только к характеристикам напряжения. Функциональная эксплуатация изделия при этих условиях или любых условиях, выходящих за рамки перечисленных в характеристиках постоянного тока или переменного тока, не подразумевается. Воздействие условий с абсолютным максимальным номинальным значением в течение длительного времени может повлиять на надежность изделия.

Напряжение питания, входы VDD, выходы VI, тепловое сопротивление корпуса VO, температура хранения JA, TSTG
ТАБЛИЦА 4A. ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА, VDD = VDDA = VDDO ДО 70 ° C
Символ VDD VDDA VDDO IDD IDDA IDDO Параметр Основного напряжения питания Аналоговое напряжение питания Выходное напряжение питания Ток источника питания Аналоговый ток источника питания Выходной ток источника питания Условия тестирования Минимум 3.135 Типичный 3.3 Максимальных единиц В мА

Символьный параметр VIH Вход высокого напряжения OEA, OEB, MR, F_SELA, F_SELB BW_SEL Или VIH Вход низкого напряжения, вход среднего напряжения, вход высокого тока OEA, OEB, MR, F_SELA, F_SELB BW_SEL OEA, OEB F_SELA, F_SELB MR, BW_SEL BW_SEL, OEA, OEB MR, F_SELB F_SELB VDD = VIN = 3,465В VDD = VIN = 3,465 В VDD = 3,465 В, VIN = 0 В VDD = 3,465 В, VIN - 0,1 Условия испытания Минимум 2 VDD VDD/2 типичных максимальных VDD + 0,3 единиц мкА


ПоставщикТЕРМОСТАТОФ
ГородМосква
АдресOOO "ТЕРМОСТАТОФ" (ранее СТЕГО РУС) 141011 Россия Московская область г. Мытищи ул. Коммунистическая д. 10, корп. 1, офис 413
E-mailПоказать email
ТелефонПоказать телефон
Контактное лицоЮрий Николаевич Гурков

Другие товары из категории Электронные компоненты

© ТЕРМОСТАТОФ Полная версия